1. 考试内容
(1)电子技术基础部分
主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念:正、负反馈;电压、电流、串联、并联负反馈;掌握反馈类型和极性判断,引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器,用电压比较器组成的非正弦发生电路。掌握逻辑代数的基本公式、基本规则;逻辑代数的表示方法及相互转换。掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理。
(2)电磁场理论部分
主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度,以及灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性,题型主要包括概念题、计算题和证明推导题。应掌握的基本内容为:①矢量分析:三种常用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质;②静电场:库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力;③恒定电场和电流:恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比;④恒定磁场:安培磁力定律和毕奥---沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件;⑤静态场的边值问题:拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法;⑥电磁感应:法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量;⑦时变电磁场:位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件;⑧平面电磁波:理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射;⑨导行电磁波:矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔;⑩电磁波辐射:赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。
(3)半导体物理部分
主要包含半导体中的电子状态;半导体中的电子状态和能带、电子的运动,本征半导体的导电机构、空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构;半导体中的杂质和缺陷能级,硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级;半导体中载流子的统计分布、状态密度,费米能级、载流子浓度的计算,简并半导体;载流子的位移与扩散运动,载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射,耿氏效应;非平衡载流子的注入,复合寿命,费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的迁移运动,爱因斯坦关系,连续性方程;PN结的伏安特性,PN结电容,击穿;金属和半导体的接触的理论,少子的注入与欧姆接触;表面态,表面场效应,C-V特性,表面电场对PN结特性的影响;半导体的光学性质,光电性质,发光现象,半导体激光器;半导体的热电性质,温差电动势率,热电效应及其应用;半导体磁效应和压阻效应。
(4)光电子学部分
主要包含光波在均匀介质中的传播特性,光波在各项异性介质中的传播特性,光波的偏振特性,光波的衍射和干涉特性,高斯光束的传播特性,激光的速率方程,激光增益介质的加宽特性。
2. 考试要求
(1) 电子技术基础部分要求全部考生必做;
(2) 电磁场理论部分(A)要求报考02 电磁仿真与天线、03 毫米波太赫兹技术与系统方向考生必做;
(3) 半导体物理部分(B)要求报考04 微电子与集成电路方向考生必做;
(4) 光电子学部分(C)要求报考06 微纳光电子学与激光光电子学方向考生必做;
(5) 报考其他方向考生可任选A或B。
3. 题型及分值安排
(1) 题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义,计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。
(2) 分值安排:简答题占40%,计算题占60%。
参考书目
(1)模拟电路基础;(2)半导体物理学;(3)电磁场理论基础;(4) 物理光学;(5)激光原理。 (1)北京理工大学出版社;(2)国防工业出版社;(3)北京理工大学出版社;(4)华中科技大学出版社;(5)国防工业出版社。(1)吴丙申,卞祖富;(2)刘恩科,朱秉升,罗晋生等;(3)陈重,崔正勤;(4)竺子民;(5)周炳琨。 (1)1997;(2)1994;(3)2003;(4)2010;(5)2000。