贵州大学电子科学与技术学科经过近50年的发展，已经形成一个在全国具有一定影响力、在贵州省具有不可替代地位的强势学科。
本学科的总体目标是以基础研究为源泉，以材料带器件、以器件带系统，在新型电子材料、新型信息处理器件和集成信息系统领域，为西部的信息产业以及国防军工企业提供本土化的人才支撑、原创性的研究成果。学科在211建设经费、国家特色专业建设经费和贵州省重点实验室和重点学科建设经费的支持下，形成了三个特色鲜明的学科平台：
微电子、纳电子器件基础研究、加工和表征平台（专用设备总值约1000万元）；
微电子、纳电子信息系统设计平台（专用设备总值约500万元）；
微电子、纳电子集成和应用平台（专用设备总值约500万元）。
依托三个平台，有利于在横向实现信息科学、新材料科学、先进制造技术的交叉与融合，在纵向实现微电子学、光电子学、纳电子学的交叉与融合。
本学科的总体研究方向可概括为微、纳信息材料、器件、系统和集成技术研究和应用开发。近期的主要研究工作包括：先进光电子材料与器件，低维半导体特性及机理研究，集成电路设计、特种半导体器件、功率器件与功率集成电路研究和应用开发。
代表性的研究工作举例如下：
1、在先进光电子材料与器件研究方向，谢泉教授的研究团队从2001年开始开展硅化物光电子材料与器件的研究工作，并在世界上首次测试出β-FeSi2薄膜在强磁场30T下巨磁阻达到40%，实验结果被2003年5月20号的日本工业新闻报道。
2、在低维半导体特性及机理研究方向，丁召教授等做出了高水平的研究成果，在Science，PRL等国际顶级期刊发表多篇学术论文。研究小组发现硅基量子点结构造成的能带变化有增强的光致发光（PL）发光。采用脉冲激光加工的方法在硅基上生成量子点结构，并提出相应物理模型解释PL增强发光乃至受激发光的机理。
3、在等离子体与材料相互作用的原位和实时分析装置的研究方面，在国际上首次将低能、低角度离子束散射技术引入等离子体薄膜沉积和刻蚀机理的原位和实时研究。
4、在超导电子学方向，研究小组是国际最早采用物理化学气相沉积方法成功制备硼化镁超导薄膜的团队之一。早在2001年就用化学气相沉积两步法在多晶氧化铝衬底上制备出转变温度为35K以上的超导薄膜，甘子钊院士对此给予高度评价。
5、完成多项为国防重点工程配套的新型电子器件及集成电路产品研制任务，取得较好的社会经济效益。