| 姓 名 | 石广源 | 性 别 | 男 | 出生年月 | 1951-01 |
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| 所在院校 | 辽宁大学 | 所在院系 | 物理学院 | ||
| 职称 | 副教授 | 招生专业 | 电子科学与技术 | ||
| 研究领域 | 电子科学与技术 |
| 联系方式 | 电 话 | 邮 编 | 0 | |
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| 地 址 |
| 著作及论文 |
| 发表论文： 1. VDMOSFET的TOX与特征导通电阻RONA的关系VDMOSFET参数优化设计软件编制； 2. 压力变送器信号调整电路的设计思路； 3. 电阻栅MOSFET电流模型分析； 4. 双栅MOSFET工作原理与制造工艺； 5. 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响； 6. VDMOSFET终端场板的设计考虑； 7. 六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型； 8. 一个专用芯片的边界扫描测试； 9. SiC结构的多型性等40余篇。 为硕士研究生讲授“VLSI原理与系统”以及“大功率半导体器件原理与设计”等课程。指导硕士论文近十人篇。 发表论文： 1. VDMOSFET的TOX与特征导通电阻RONA的关系VDMOSFET参数优化设计软件编制； 2. 压力变送器信号调整电路的设计思路； 3. 电阻栅MOSFET电流模型分析； 4. 双栅MOSFET工作原理与制造工艺； 5. 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响； 6. VDMOSFET终端场板的设计考虑； 7. 六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型； 8. 一个专用芯片的边界扫描测试； 9. SiC结构的多型性等40余篇。 为硕士研究生讲授“VLSI原理与系统”以及“大功率半导体器件原理与设计”等课程。指导硕士论文近十人篇。 |
| 承担项目 |
| 主持科研课题 1. 高压大电流IGBT的研制； 2. 低阻VDMOSFET研制与CAD软件研究； 3. 高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管的研制； 4. 双栅MOSFET研制； 5. 扩散硅压力传感器最佳技术原理； 等课题多项。 主持科研课题 1. 高压大电流IGBT的研制； 2. 低阻VDMOSFET研制与CAD软件研究； 3. 高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管的研制； 4. 双栅MOSFET研制； 5. 扩散硅压力传感器最佳技术原理； 等课题多项。 |