| 姓 名 | 常玉春 | 性 别 | 男 | 出生年月 | 1973-01 |
|---|---|---|---|---|---|
| 所在院校 | 吉林大学 | 所在院系 | 电子科学与工程学院 | ||
| 职称 | 副教授 | 招生专业 | 微电子学与固体电子学 | ||
| 研究领域 | DC-DC电源管理芯片设计,新结构半导体材料和器件,新型半导体光电探测器及其外围电路设计 |
| 联系方式 | 电 话 | 邮 编 | 0 | |
|---|---|---|---|---|
| 地 址 |
| 个人简介 |
| 分别于1995年、1998年、2002年获吉林大学微电子学与固体电子学本科、硕士、博士学位,1998年留校任教,1999年到2001年在香港科技大学物理系做访问学者。作为项目负责人共获得国家自然科学基金资助两项,国家博士后基金资助项目一项,吉林大学青年基金、创新基金各一项,作为子项目负责人承担过一项863项目子课题,领导的课题组完成了多项模拟集成电路设计横向项目,发表文章二十余篇。2001年到2004年为我院本科生讲授集成电路CAD课程,2005年为我院研究生讲授半导体器件物理(二)。目前主要研究领域是DC-DC电源管理芯片设计,新结构半导体材料和器件,新型半导体光电探测器及其外围电路设计。 研究方向: 1、模拟/射频集成电路设计 2、新型半导体材料和器件 3、集成光电探测器 硕士招生要求: 1、半导体器件、微电子、电路系统专业 2、头脑活跃,理论基础扎实、动手能力强 3、计算机操作熟练,英语四级以上 分别于1995年、1998年、2002年获吉林大学微电子学与固体电子学本科、硕士、博士学位,1998年留校任教,1999年到2001年在香港科技大学物理系做访问学者。作为项目负责人共获得国家自然科学基金资助两项,国家博士后基金资助项目一项,吉林大学青年基金、创新基金各一项,作为子项目负责人承担过一项863项目子课题,领导的课题组完成了多项模拟集成电路设计横向项目,发表文章二十余篇。2001年到2004年为我院本科生讲授集成电路CAD课程,2005年为我院研究生讲授半导体器件物理(二)。目前主要研究领域是DC-DC电源管理芯片设计,新结构半导体材料和器件,新型半导体光电探测器及其外围电路设计。 研究方向: 1、模拟/射频集成电路设计 2、新型半导体材料和器件 3、集成光电探测器 硕士招生要求: 1、半导体器件、微电子、电路系统专业 2、头脑活跃,理论基础扎实、动手能力强 3、计算机操作熟练,英语四级以上 |
| 著作及论文 |
| 发表文章 1、“PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的设计”,微电子学,已接受。(通讯联系人,核心) 2、“A Novel GaAs/InGaAs/AlGaAs Structure of Modulation-Doped Field-Effect Transistors with High Transconductances”,Chinese Physics Letter, 2002, Vol.19, no.4, p.588。(第一作者,SCI) 3、“The effect of vertical emitter ballasing resistors on the emitter current crowding effect in heterojunction bipolar transistors”,Solid-State Electronics, 2002, Vol.46, p1997。(第一作者,SCI) “Ultrasensitive Si phototransistors with a punchthrough base”,Applied Physics Letters, 2001, Vol.79, no.6, p.773。(第二作者,SCI) 发表文章 1、“PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的设计”,微电子学,已接受。(通讯联系人,核心) 2、“A Novel GaAs/InGaAs/AlGaAs Structure of Modulation-Doped Field-Effect Transistors with High Transconductances”,Chinese Physics Letter, 2002, Vol.19, no.4, p.588。(第一作者,SCI) 3、“The effect of vertical emitter ballasing resistors on the emitter current crowding effect in heterojunction bipolar transistors”,Solid-State Electronics, 2002, Vol.46, p1997。(第一作者,SCI) “Ultrasensitive Si phototransistors with a punchthrough base”,Applied Physics Letters, 2001, Vol.79, no.6, p.773。(第二作者,SCI) |