研究生导师薛其坤:山东大学
2016.04.30 12:05
姓  名 薛其坤 性  别 出生年月
所在院校 山东大学 所在院系 信息科学与工程学院
职称 教授 招生专业
研究领域 表面物理、低维纳米结构和薄膜的控制生长与量子效应、极低温强磁场和自旋极化扫描隧道显微学
联系方式 E-mail 电 话 邮 编 250100
地 址 山东省济南市山大南路27号山东大学信息科学与工程学院
个人简介
  薛其坤  1984年毕业于山东大学光学系,1994年在中科院物理所获博士学位(联合培养)。1992年到1999年间先后在日本和美国学习和工作。现为清华大学物理系“长江学者奖励计划”特聘教授、中科院物理所研究员。目前主要研究方向是表面物理、低维纳米结构和薄膜的控制生长与量子效应、极低温强磁场和自旋极化扫描隧道显微学。在利用扫描隧道显微镜、高/低能电子衍射、电子能谱以及光学反射差分谱等手段研究半导体材料(GaAs、GaN、ZnO和Si)表面原子/电子结构和化学性质、薄膜与纳米结构(量子点/量子线等)的外延生长动力学、原子尺度上控制以及量子效应等方面做过工作。与合作者共发表文章100余篇(其中Science上1篇和 Phys. Rev. Lett.上14篇),被引用1500多次。先后被聘为北京航空航天大学、山东大学、山东师范大学、北京大学等校的兼职教授。  薛其坤 1984年毕业于山东大学光学系,1994年在中科院物理所获博士学位(联合培养)。1992年到1999年间先后在日本和美国学习和工作。现为清华大学物理系“长江学者奖励计划”特聘教授、中科院物理所研究员。目前主要研究方向是表面物理、低维纳米结构和薄膜的控制生长与量子效应、极低温强磁场和自旋极化扫描隧道显微学。在利用扫描隧道显微镜、高/低能电子衍射、电子能谱以及光学反射差分谱等手段研究半导体材料(GaAs、GaN、ZnO和Si)表面原子/电子结构和化学性质、薄膜与纳米结构(量子点/量子线等)的外延生长动力学、原子尺度上控制以及量子效应等方面做过工作。与合作者共发表文章100余篇(其中Science上1篇和 Phys. Rev. Lett.上14篇),被引用1500多次。先后被聘为北京航空航天大学、山东大学、山东师范大学、北京大学等校的兼职教授。
获得奖项
  主要奖项:
  1.“纳米结构/薄膜生长及表面动力学问题研究”获2004年国家自然科学二等奖
  2. “薄膜/纳米结构的控制生长和量子操纵”获2005年中国科学院杰出科技成就奖
  近几年主要的科研项目:
  1. 纳米尺度下材料性能(原位/外场下)的表征及科学问题的研究(科技部973项目).
  2. 纳米结构薄膜生长机理和原子尺度控制的研究(国家基金委优秀研究群体)
  3. 纳米磁性结构的控制生长...  主要奖项:
  1.“纳米结构/薄膜生长及表面动力学问题研究”获2004年国家自然科学二等奖
  2. “薄膜/纳米结构的控制生长和量子操纵”获2005年中国科学院杰出科技成就奖
  近几年主要的科研项目:
  1. 纳米尺度下材料性能(原位/外场下)的表征及科学问题的研究(科技部973项目).
  2. 纳米结构薄膜生长机理和原子尺度控制的研究(国家基金委优秀研究群体)
  3. 纳米磁性结构的控制生长/量子效应与应用(国家基金委B类杰出青年基金)
著作及论文

  2004-2005年发表的著作及主要文章:
  1. “Band structure and oscillatory electron-phonon coupling of Pb thin films determined by atomic-layer-resolved quantum well states”, Phys. Rev. Lett. 95, 096802 (2005).
  2. “Quantum Size Effects on the Perpendicular Upper Critical Field in Ultrathin Lead Films”, Phys. Rev. Lett. 95, 247005 (2005).
  3. “Surface and Interface Studies of GaN Epitaxy on Si(111) via ZrB2 Buffer Layers”, Phys. Rev. Lett. 95, 266105 (2005).
  4. “Quantum growth of magnetic nanoplatelets of Co on Si with high blocking temperature”, Nano Lett. 5, 87 (2005).
  5. “Controlled growth of Zn-polar ZnO epitaxial film by nitridation of sapphire substrate”, Appl. Phys. Lett. 86, 112111 (2005).
  6. “Interface engineering for lattice-matched epitaxy of ZnO on (LaAlO3)0.3(Sr0.5Ta0.5O3)0.7 (111) substrates”, Appl. Phys. Lett. 87, 202107(2005).
  7. “Superconductivity Modulated by Quantum Size Effects”,Science 306, 1915 (2004).
  8. “Borderline magic clustering: The fabrication of tetravalent Pb cluster arrays on Si(111)-7×7 surfaces”, Phys. Rev. Lett. 93, 116103 (2004).
  9. “Coulomb Sink: a novel Coulomb effect on coarsening of metal nanoclusters on semiconductor surface”, Phys. Rev. Lett. 93, 106102 (2004).
  10. “Decoherence processes during optical manipulation of excitonic qubits in semiconductor quantum dots”, Phys. Rev. B 72, 035306 (2005).

  2004-2005年发表的著作及主要文章:
  1. “Band structure and oscillatory electron-phonon coupling of Pb thin films determined by atomic-layer-resolved quantum well states”, Phys. Rev. Lett. 95, 096802 (2005).
  2. “Quantum Size Effects on the Perpendicular Upper Critical Field in Ultrathin Lead Films”, Phys. Rev. Lett. 95, 247005 (2005).
  3. “Surface and Interface Studies of GaN Epitaxy on Si(111) via ZrB2 Buffer Layers”, Phys. Rev. Lett. 95, 266105 (2005).
  4. “Quantum growth of magnetic nanoplatelets of Co on Si with high blocking temperature”, Nano Lett. 5, 87 (2005).
  5. “Controlled growth of Zn-polar ZnO epitaxial film by nitridation of sapphire substrate”, Appl. Phys. Lett. 86, 112111 (2005).
  6. “Interface engineering for lattice-matched epitaxy of ZnO on (LaAlO3)0.3(Sr0.5Ta0.5O3)0.7 (111) substrates”, Appl. Phys. Lett. 87, 202107(2005).
  7. “Superconductivity Modulated by Quantum Size Effects”,Science 306, 1915 (2004).
  8. “Borderline magic clustering: The fabrication of tetravalent Pb cluster arrays on Si(111)-7×7 surfaces”, Phys. Rev. Lett. 93, 116103 (2004).
  9. “Coulomb Sink: a novel Coulomb effect on coarsening of metal nanoclusters on semiconductor surface”, Phys. Rev. Lett. 93, 106102 (2004).
  10. “Decoherence processes during optical manipulation of excitonic qubits in semiconductor quantum dots”, Phys. Rev. B 72, 035306 (2005).

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