题型 填空(30)名词解释(30)证明画画(90)
一、大题:
1.画MOSEFT剖面图，输出曲线，转移曲线，分析工作原理
2.画pnp的共基组态 共射组态 输出曲线并标出饱和 截止 放大区
3.画出mos的三种能态图(积累，耗尽，反型 )n p 都要画
4.从能带理论说明 金属 半导体 绝缘体导电的不同
5.证明爱因斯坦方程
6，证明金半(n)接触加反向偏压下，杂质的情况 (式子不好打)
二、名词解释
1.霍尔
2.Early
3.简并半导体
4.施主受主
5. 欧姆接触
三、填空
1.()反应在电场下运动难易的物理量，()反应在浓度梯度下运动难易的物理量，它们的关系是( )
2.散射包括()()。
3.ni=n0p0,在()状态下成立，nopo的乘积与杂质浓度是否有关()，与温度是否有关()。
4.电子占据的半满带能带最高的叫()，没被电子占据的能带能量最低的是()，这两个能带之间没有啥啥的区域叫()
5. (暂缺)
6. (暂缺)