考博考生生准备要参加博士研究生考试时，必须要先确定准备攻读博士的相关专业，然后选择该专业有招生需求的学校，接下来应该联系博士生导师，只有当博士生导师同意考生报考，考博生才可以报考。所以提前了解博士生导师的学术文章及联系方式很重要，新东方在线特整理了各招收博士院校博导的简介及联系方式供考博生参考。
姓名:赵毅
性别:男
职称:教授
在岗性质:全职在岗
学院/系:信息与电子工程学院
招生资格类别:博士生导师
科学学位第一专业:电子科学与技术 专业学位第一专业:工程
科学学位第二专业:材料科学与工程 专业学位第二专业:
研究方向:三维(FinFET，纳米线)结构纳米CMOS器件物理及工艺;新沟道材料CMOS器件(锗，三五族化合物以及其他新沟道材料);纳米CMOS器件的可靠性(NBTI，HCI，TDDB等)
Email:yizhao@zju.edu.cn
个人简介: 本人多年在美国IBM国际半导体研发联盟，(日本)东京大学从事先进集成电路器件与工艺方面的研究，已在以下几个研究方向取得了突出成果：1)新沟道材料(锗，应变硅等)高性能CMOS器件;2)20/14nm纳米级CMOS低功耗静态随机存储器(SRAM)电路;3)用于先进CMOS器件的高介电常数(k)栅极介质;4)CMOS器件与工艺的可靠性。特别在CMOS器件物理、沟道材料和工艺方面的研究处于国际领先水平。已4次在国际电子器件领域最权威的国际会议IEEE IEDM和IEEE VLSI Symposia上报告研究成果，并被推荐负责国家 “973”计划项目课题(编号：2011CBA00607)。全职回国工作后，申请人已负责一项国家自然科学基金面上项目(编号：61376097)和一项国家自然科学基金青年基金项目(编号：61106089)。主要学术成果主要包括：1)应变硅CMOS器件物理与高迁移率技术研究(国家"973"计划, 国家自然科学基金青年基金资助和日本文部省项目)，该研究结果首次提出了一个统一的模型。该结果对提高应变硅CMOS器件中的载流子迁移率提供了非常好的理论指引;2)高性能Ge沟道MOS器件的界面控制技术研究(国家“973计划”资助课题和2014年国家自然科学基金面上项目的前期研究)，该研究提出了一种简便新颖的臭氧后氧化(OPO)方法，目标是不插入钝化层的情况下得到优良的MOS界面，从而获得薄EOT的Ge MOSFETs器件;3)用于32nm及以后CMOS器件与工艺的高介电常数(k)栅极介质研究(日本新能源研究机构NEDO项目以及回国后国家“973计划”资助课题)，通过研究首次提出通过添加类似结构的高晶格能高 k氧化物(如Y2O3)等来提高氧化镧的抗吸水能力,相关研究结果
发表在APL(4篇)，JAP(1篇)以及在IEEE IEDM，International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)等国际会议上被发表。