考博考生生准备要参加博士研究生考试时，必须要先确定准备攻读博士的相关专业，然后选择该专业有招生需求的学校，接下来应该联系博士生导师，只有当博士生导师同意考生报考，考博生才可以报考。所以提前了解博士生导师的学术文章及联系方式很重要，新东方在线特整理了各招收博士院校博导的简介及联系方式供考博生参考。

　　程玉华

　　职称：教授

　　电话：021—68590626/13681686910

　　Email：chengyh@pku.edu.cn

　　实验室网站：www.shrime-pku.org.cn/

　　研究方向：模拟/射频电路设计;EDA 技术。

　　导师与研究领域、方向：

　　程玉华，教授，博士生导师， IEEE FELLOW，上海微电子研究院院长。1989年于清华大学获得博士学位。 1990年进入北京大学做博士后研究，完成两年科学研究后留校，任副教授。1994年赴挪威川得汉姆(Trondheim)大学做访问学者一年。1995年受美国加州伯克利大学著名教授、美国国家工程科学院院士胡正明博士邀请赴该校担任BSIM3V3项目负责人。1996年该项目取得重大突破，被评为年度世界100项重大科研成果之一。被美国电子工业协会定为行业标准。对世界半导体发展产生了重大影响。 1997年-2006年先后在美国Rockwell、Conexant、Skyworks、Siliconlinx任技术和管理职务，2006年回到北大任职。近十(五)年来发表文章90(30)余篇，其中SCI/EI收录50(20)余篇。出版英文专著两部，其中’Guide>与胡正明博士 合作出版﹐同时也被翻译成日文在日本出版发行。另一部与挪威著名教授、IEEE Fellow、挪威国家科学院院士Dr. Tor A. Fjeldly 合作出版。曾数十次受邀在国际会议上做特约报告。多次被哈佛大学﹑麻省理工学院﹑加州伯克利大学﹑华盛顿大学等十多所美国著名大学邀请前往做专题讲座。现为国际电子电气工程师协会电子器件分会Distinguished Lecturer。主要研究领域是器件建模、EDA技术研究、模拟/射频集成电路设计和系统集成技术平台开发。

　　目前承担的主要科研项目：

　　1.985项目，RF SOC设计技术平台开发研究，教育部，2006.8-2007.12，课题总体负责人。

　　2.863项目，CMOS兼容MEMS设计工具框架与设计流程开发及其在RF MEMS设计中的应用，

　　2006AA04Z301，科技部，2006.12-2008.12，

　　3.自然科学基金重点项目，纳米工艺下可制造性和成品率驱动的集成电路设计方法学研究，2007-2010。

　　近5年来取得的主要成果：

　　1.MOSFET Modeling for RF IC Design (论文) IEEE Transactions On Electron Devices, Vol. 52, No. 7, pp. 1286-1303, July 2005

　　2.High-Frequency Characterization and Modeling of Distortion Behavior of MOSFETs for RF IC Design (论文) IEEE Journal Of Solid-State Circuits, VOL. 39, NO. 9, pp. 1407 – 1414, September 2004

　　3.High frequency small signal AC and noise modeling of MOSFETs for RF IC design (论文) IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 49, pp. 400 – 408, March 2002

　　4.Parameter extraction of accurate and scalable substrate resistance components in RF MOSFETs (论文) IEEE Electron Device Letters, Vol. 23, No. 4, pp. 221 – 223, April 2002.

　　5.Device Modeling for Analog & RF CMOS Circuit Design (英文专著) John Wiley and Sons Ltd, 2003

　　对研究生的基本要求：

　　1) 专业范围：微电子、电子技术和其他相关专业

　　2) 外语/数学能力：良好

　　3) 研究/开发能力：严谨、刻苦、独立思考和积极主动解决问题

　　其他要求： 在上海研究院完成课题和论文